Способ нанесения тонкого слоя аморфного кремния

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной микроэлектронике, оптоэлектронике и интегральной оптике для создания интегральных схем, тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев. Сущность изобретения заключается в том, что нанесение тонкого слоя аморфного кремния на положку осуществляется в ходе фотохимической реакции при воздействии УФ излучения на светочувствительное вещество, содержащее кремний, находящееся в контакте с диэлектрической подложкой. Технический результат - упрощение технологии, снижение затрат на производство, а также усиление безопасности при реализации технологического процесса нанесения тонкого слоя аморфного кремния на подложку.