Конструкция тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона для монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-диапазона

ОКР посвящена разработке конструкции и технологии получения гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением, предназначенных для проектирования и изготовления на их основе мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решёток на их основе. Приведено теоретическое обоснование выбранной конструкции гетероструктуры и принятых технологических решений, проведены исследования свойств полученных образцов гетероструктуры. Приведены общее описание конструкции и технологии изготовления тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона, а также библиотеки стандартных элементов для проектирования МИС усилителей мощности Х-диапазона на основе разработанных гетероструктур AlGaN/GaN.Тестовый полевой СВЧ-транзистор предназначен для определения приборно-ориентированных параметров гетероструктуры AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением, а также для контроля параметров планарной технологии изготовления МИС.