РИД
№ АААА-Г17-617040510052-1Технология изготовления тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона для монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-диапазона
05.04.2017
ОКР посвящена разработке конструкции и технологии получения гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением, предназначенных для проектирования и изготовления на их основе мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решёток на их основе. Приведено теоретическое обоснование выбранной конструкции гетероструктуры и принятых технологических решений, проведены исследования свойств полученных образцов гетероструктуры. Приведены общее описание конструкции и технологии изготовления тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона, а также библиотеки стандартных элементов для проектирования МИС усилителей мощности Х-диапазона на основе разработанных гетероструктур AlGaN/GaN.Контроль параметров тестового транзистора позволяет оценить качество исходного материала и возможность его применения для производства электронной компонентной базы Х-диапазона.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.14.17 Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
СВЧ-ТРАНЗИСТОР
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ (ПУЧКОВАЯ) ЭПИТАКСИЯ
Детали
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Ожидается
Заказчик
Исполнители
Публичное акционерное общество "Светлана"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Конструкция тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона для монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-диапазона
0.987
РИД
Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
0.929
ИКРБС
Разработка технологии изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT
0.927
ИКРБС
Технология изготовления транзисторов для применения в СВЧ усилителях мощности, на основе эпитаксиальных структур GaN выращенных на полуизолирующем карбиде кремния 4Н 4 дюйма
0.927
РИД
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.924
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.923
ИКРБС
Разработка принципов проектирования и изготовления мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решёток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением
0.923
ИКРБС
Поисковые исследования технологии изготовления и проектирования монолитных интегральных схем для приемопередающих систем связи диапазона частот 100 - 140 ГГц на широкозонных гетероструктурах (InAlGa)N/GaN
0.923
ИКРБС
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения по теме: ИЗГОТОВЛЕНИЕ МАКЕТОВ, ПРОВЕДЕНИЕ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ (промежуточный, этап 2)
0.922
ИКРБС
Библиотека стандартных элементов для проектирования МИС усилителей мощности Х-диапазона на основе гетероструктур AlGaN/GaN
0.922
РИД