Фотопреобразователь лазерного излучения

Задачей настоящего решения является создание такого фотодетектора лазерного излучения, который обладал бы высокий уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением, что обеспечит повышение его КПД, а также возможность увеличения преобразуемой мощности лазерного излучения.Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlхGa1-хAs, широкозонный стоп-слой (6) из n AlyGa1 yAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (5) широкозонного окна из n-AlхGa1-хAs, где 0,15<х<0,25, составляет не менее 1 мкм, а в широкозонном стоп-слое (6) из n AlyGa1 yAs концентрация y алюминия составляет 0,6<y<0,7. Фотодетектор обладает высоким уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением.