Способ увеличения управляющего напряжения на затворе GaN транзистора

Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.На поверхность полупроводниковой пластины с эпитаксиальной гетероструктрурой типа p-GaN/AlGaN/GaN плазмохимическими методами производится осаждение тонкой пленки диэлектрика на основе нитрида кремния толщиной от 1 до 50 нм. Далее формируется двухслойная резистивная маска. Затем пластина загружается в установку напыления тонких пленок в вакууме, где производится осаждение пленок на основе палладия толщиной 10 – 500 нм. Далее производится извлечение пластины из вакуумной камеры с последующим удалением резистивной маски. Далее методом селективного плазмохимического травления по твердой маске затворов формируется подзатворная p-GaN меза-область, а также межприборная меза-изоляция с последующим формированием омических контактов к областям сток и истока GaN транзистора.