Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор нормально-закрытого типа

Полезная модель относится к высоковольтным транзисторам нормально-закрытого типа. Прибор изготавливается на основе GaN/AlGaN гетероструктуры. Обеспечивается пороговое напряжение 1В и более. Это достигается тем, что в предлагаемой конструкции транзистора, включающей последовательные буферный слой GaN, спейсерный слой AlN, барьерный слой AlGaN, слой p-GaN под электродом затвора и контактные электроды, добавляется дополнительный стоп-слой AlN между барьерным слоем AlGaN и слоем p-GaN. Это обеспечивает точный контроль порогового напряжения и малые значения токов утечки в затвор.