Топология интегральной микросхемы: СВЧ 5-разрядный аттенюатор

23.03.2018

Интегральная микросхема (ИМС) предназначена для применения в перспективных образцах ВВСТ наземного базирования. Для изготовления применяют GaAs pHEMT гетероструктуры. Затворы транзисторов длиной 0,5 мкм формируются при помощи техники контактной литографии. Остальные элементы ИМС формирются при помощи техники фотолитографии. СВЧ вход/выход согласован на 50-ти омный тракт. Размер кристалла - 3,3х1,45х0,1 мм3.

ГРНТИ

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона

47.14.09 Проектирование и конструирование приборов и устройств квантовой электроники

Ключевые слова

СВЧ 5-РАЗРЯДНЫЙ АТТЕНЮАТОР

ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А15-115112650054-3

Тип РИД

Топология интегральных микросхем