РИД
№ АААА-Г20-620012490035-2Способ определения концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях кремния неразрушающим методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии
24.01.2020
Способ определения концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях кремния, включающий процедуру регистрации характеристических рентгеновских эмиссионных Si L2.3 спектров сильнолегированного кремния при концентрации электрически активной донорной примеси ND ≥1018 см-3 в области валентной зоны кремния и в области примесной подзоны электрически активных доноров с помощью неразрушающего метода ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии, отличающийся тем, что регистрацию рентгеновских эмиссионных спектров проводят при напряжении U=3 кВ на аноде разборной рентгеновской трубки спектрометра монохроматора, при плотности анодного тока 2 мА/см2 с определением относительной интенсивности ID донорного максимума, находящегося в рентгеновском эмиссионном Si L2.3 спектре выше потолка валентной зоны кремния при энергии Е=100 эВ, соответствующей концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях толщиной ≤120 нм сильнолегированного кремния.
ГРНТИ
29.19.24 Электронная структура твердых тел
29.31.26 Спектроскопические методы и методики
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
УЛЬТРАМЯГКАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
УМРЭС
СИЛЬНОЛИГИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ
ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ
ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ В КРЕМНИИ
Детали
НИОКТР
№ 114111740009
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к области нанотехнологий, наноэлектроники и микроэлектроники и может быть применено для определения концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях кремния толщиной ?120 нм без разрушения образца, сильнолегированного методами диффузии или ионной имплантации, которые широко применяются в полупроводниковой технологии
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ РАСТУЩЕГО СЛОЯ ПРИ УПРАВЛЯЕМОМ ЛЕГИРОВАНИИ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
0.890
ИКРБС
Способ определения степени разрушения кристаллической структуры образца в процессе его облучения ускоренными частицами
0.889
РИД
Анализ нанокремния и ионно-синтезированных оксидных наноструктур вольфрама методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
0.888
Диссертация
Способ определения электрофизических характеристик легированных слоев кремниевых пластин
0.888
РИД
Способ электрохимического контроля концентрации ионов кремния в расплавленных солях
0.887
РИД
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
0.881
РИД
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
0.881
РИД
Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с использованием ионов благородных газов с высокой атомной массой
0.878
РИД
Способ изготовления полупроводниковых структур
0.878
РИД
Исследование физических явлений на поверхности роста и разработка решений для управляемого легирования наноразмерных полупроводниковых пленок в методе ионно-лучевой кристаллизации
0.877
ИКРБС