Способ определения электрофизических характеристик легированных слоев кремниевых пластин

01.06.2022

Способ определения электрофизических характеристик легированных слоев кремниевых пластин заключается в измерение поверхностного сопротивления легированного слоя четырехзондовым методом, дополнительно осуществляют определение ИК-спектров отражения от поверхности кремниевых пластин, нахождение минимума на спектральной зависимости коэффициента отражения, вычисление по эмпирическим формулам концентрации примеси на поверхности легированного слоя и расчет глубины залегания p-n перехода

ГРНТИ

47.09.29 Полупроводниковые материалы

Ключевые слова

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ

ЛЕГИРОВАННЫЙ СЛОЙ

ИК-СПЕКТР ОТРАЖЕНИЯ

ПОВЕРХНОСТНАЯ КОНЦЕНТРАЦИЯ ПРИМЕСИ

Детали

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к устройствам контроля параметров полупроводниковых материалов и может быть использовано для неразрушающего определения поверхностного сопротивления легированного слоя, глубины, на которой образуется p-n переход и концентрации примеси на поверхности кремниевых пластин, как при входном контроле, так и при контроле полупроводниковых структур после технологических операций создания легированных слоев

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ И.С. ТУРГЕНЕВА"

Похожие документы

Способ определения толщины, электропроводности, эффективной массы, коэффициентов рассеяния носителей заряда, концентрации и энергии активации легирующей примеси полупроводникового слоя

0.916

РИД

Способ измерения параметров полупроводниковых структур

0.897

РИД

Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах