Способ определения степени разрушения кристаллической структуры образца в процессе его облучения ускоренными частицами

Данное изобретение может быть использовано без нарушения вакуумного цикла, in situ, непосредственно в процессе облучения. Способ найдет свое применение при решении задач по созданию образцов газовых сенсоров, электронных и оптических компонент, в т.ч. суперконденсаторов, стабилитронов, диодов и т.п. Для облучения используют ускоренные частицы, например, ионы аргона, гелия, углерода, электроны или нейтроны. В качестве образцов могут быть использованы любые кристаллические структуры: из-за блокировки определенных направлений вылета атомами кристаллической решетки, при регистрации вторичных частиц наблюдаются минимумы выхода, в зависимости от угла поворота. Разупорядочивание кристаллической структуры в процессе облучения приводит к деградации этого эффекта. Например, при облучении нейтронами кристалла LiF происходят резонансные реакции с образованием вторичных альфа-частиц, направление вылета которых из кристалла определяется структурой его решетки, при деградации кристаллической структуры в процессе облучения происходит блокировка определенных направлений вылета частиц.