Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенной радиационной стойкостью. В способе изготовления полупроводникового прибора после окисления затвора производят диффузию золота с обратной стороны кремниевой пластины концентрацией 3*1015-1*1016 см-3, при температуре 930-950°С, с последующим термическим отжигом при температуре 600°С в течение 35 минут. Затем формируют полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Золото компенсирует быстрые ловушки на границе раздела и создают дополнительные акцепторные состояния на границе раздела в близи валентной зоны, способствует диффузионному залечиванию дефектов.