Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора подзатворный оксид формируют при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течение 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течение 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течение 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течение 15 мин.