РИД
№ АААА-Г20-620111890042-6Способ формирования барьерного слоя для гетероструктур на основе нитрида галлия
18.11.2020
Способ формирования барьерного слоя для гетероструктур на основе нитрида галлия
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
НИТРИДНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
БАРЬЕРНЫЙ СЛОЙ
Детали
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Способ формирования барьерного слоя для гетероструктур на основе нитрида галлия
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ пассивации нитридных гетероструктур с ультратонкими барьерными слоями
0.928
РИД
Способ формирования зародышевого слоя для транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитридных гетероструктур
0.916
РИД
Способ формирования тонкопленочных резисторов на основе сильнолегированного нитрида галлия
0.901
РИД
Способ увеличения адгезии фоторезиста в технологии нитрид галлия на кремнии
0.900
РИД
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЗАТВОРНОГО УЗЛА ДЛЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ СО СВЕРХТОНКИМ БАРЬЕРНЫМ СЛОЕМ
0.900
РИД
Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия
0.898
РИД
Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца
0.898
РИД
Получение и исследование слоев нитрида галлия и алюминия методом хлорид-гидридной эпитаксии для приборов электроники и оптоэлектроники
0.894
Диссертация
Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания
0.893
Промышленная инновация
Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке
0.890
РИД