Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке

Задача настоящего изобретения – создание омического контакта с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной GaN/AlGaN гетероструктуре на кремниевой подложке. После помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления осуществляется обработка пассивированной поверхности приборной гетероструктуры источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Далее на пассивирующий диэлектрик последовательно осаждаются методом электронно-лучевого испарения слои Si/Ti/Al/Ni/Au с толщинами 10-20/20/100/40/60 нм, соответственно. Затем производится термическая обработка контакта в атмосфере гелия при температуре 850 °C в течение 30 с.