Гетероэпитаксиальная структура с алмазным теплоотводом для полупроводниковых приборов и способ ее изготовления

21.11.2021

Гетероэпитаксиальная структура с алмазным теплоотводом для полупроводниковых приборов и способ ее изготовления относятся к области полупроводниковой техники и могут быть использованы при изготовлении сверхвысокочастотных приборов и приборов силовой электроники в качестве активных структур. Способ получения гетероэпитаксиальной структуры с алмазным теплоотводом для изготовления полупроводниковых приборов основан на выращивании на базовой многослойной подложке поликристаллического алмаза и эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, в котором после выращивания поликристаллического алмаза часть слоев базовой подложки удаляют до базового слоя.

ГРНТИ

47.45.99 Прочие элементы СВЧ-техники

Ключевые слова

Алмаз

Алмазный теплоотвод

Гетероструктура

Поликристаллический алмаз

GaN

Детали

НИОКТР

№ АААА-А19-119120390024-8

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано в качестве активных структур при изготовлении сверхвысокочастотных приборов и приборов силовой электроники таких как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки, выпрямители и многие другие.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ВАНДЕР ТЕХНОЛОДЖИС"

Заказчик

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"

Похожие документы

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

0.916

РИД

Разработка технологии изготовления алмазных теплоотводов для силовых устройств на основе GaN

0.915