Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии

Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии путем предварительного отжига раствора-расплава исходной шихты и выращивания в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры AlGaAs, сформированной из композиции последовательных эпитаксиальных слоев AlGaAs на подложке GaAs. В исходную шихту предварительно вводят алюминий в количестве (0,2 0,7) ат. %, а рабочий слаболегированный p0 i n0 слой формируют путём принудительного охлаждения ростовой системы со скоростью (0,2 2,0) ºС/мин от температуры (820-880) ºС до температуры (700-750) ºС. Полупроводниковая p-i-n структура позволяет повысить предельную рабочую температуру и получить мягкий характер переключения изготовленных из такой структуры диодов из проводящего в запертое состояние, что обеспечивает снижение амплитуды резких всплесков перенапряжения на выключающемся диоде и препятствует появлению высокочастотных электромагнитных помех.