Технология формирования пористого кремния

Настоящее изобретение относится к мембранной технологии, а именно к способам травления монокристаллического кремния для получения пористых мембран различных свойств. Предложен способ формирования полупроницаемой пористой кремниевой мембраны, включающий в себя глубокое анодное травление монокристаллических пластин кремния в растворе плавиковой кислоты и изопропилового спирта в соотношении 6:1 при добавлении смачивателя СТАК (цетилтриметиламмония хлорид) при комнатной температуре 25 градусов. Травление осуществляется в режиме плотности тока от 5 мА/см2 до 20 мА/см2 от 60 минут до 800 минут в зависимости от необходимой пористости структуры. Техническим результатом полезной модели является формирование мембран с вариативно-градиентной морфологией пор, что обеспечивает увеличение механической прочности и устойчивости к водным растворам со значениями pH от 6 до 8.