Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником

Изобретение относится к технике нанесения композитных покрытий путем проведения неравновесных плазмохимических процессов, объединяющих ионное распыление в магнетронном разряде и распыление ионным пучком. Может быть использовано для нанесения сверхтвердых покрытий полифункционального назначения, в частности, ударо-, износо-, тепло-, трещино- и коррозионностойких. Технический результат – повышение эффективности процесса благодаря оптимизации совмещения функций планарного магнетрона и плазменного источника ионов, на основе продольной инжекции ионного пучка в магнетрон и расширения функциональных возможностей планарных магнетронов при синтезе наноструктурированных композитных покрытий. Устройство содержит планарный магнетрон с центральным анодом, плазменный источник ионов, подложки, кольцевые магниты, высоковольтные выпрямители, источники газового питания разрядов, разрядная камера плазменного источника ионов установлена на периферии магнетрона на расстоянии 0.1 м, причем эмиссионный канал эмиттерного катода расположен на одной оси с центральным анодом магнетрона, центральный анод магнетрона выполняет функцию распыляемой ионным пучком дополнительной мишени и расположен выше на 5 мм катода магнетрона и параллельно ему, при этом след ионного пучка отмечается на центральном аноде и частично на катоде магнетрона и магнетронный разряд зажигается при давлении ниже 8·10-2 Па, на боковой стенке анода магнетрона и в катодной полости плазменного источника ионов выполнены отверстия для раздельной подачи, соответственно, реактивного газа в магнетрон, инертного газа в разрядную камеру ионного источника, подложки установлены по окружности, между магнетроном и плазменным источником ионов вблизи ускоряющего электрода, параллельно катоду магнетрона, центр окружности находится на оси ионного пучка.