Биполярный n-р-n транзистор со встроенным ограничителем базового тока

Микросхема предназначена для использования в устройствах общего назначения для управления маломощной (до 0,3 Вт) нагрузкой постоянного тока при помощи цифровых логических устройств с выходным током до 20 мА и выходным напряжением от 3,3 до 12 В. Встроенный ограничитель базового тока представлен токоограничивающим резистором. Микросхема выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии и представляет собой биполярный n-p-n транзистор и резистор номиналом в 1 кОм и мощностью рассеяния в 0,25 Вт, размещённые на едином кристалле, имеет три выводных контакта. Технические характеристики: допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uce 15 В; допустимое напряжение база-эмиттер Ibe - 15 В; длительно допустимый коллекторный ток Ic 60 мА; длительно допустимый базовый ток IЬ - 15 мА; максимальная рассеиваемая кристаллом мощность Рmах - 120 мВт; диапазон допустимых температур от минус 40°С до + 80°С; напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ic = 60 мА, Iб = 15 мА) < 0,6 В; обратный ток коллектора (Uкб = 15 В, вывод эмиттера не подключен) < 2 мкА; пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера 25 В; пробивное напряжение эмиттер-база при разомкнутой цепи коллектора 20 В; пробивное напряжение коллектор-эмиттер (Iс ≤ 0,5 мА) 50 В; статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером ≤ 150; граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером ≥ 200 МГц.