Способ определения диэлектрической проницаемости материала тонкослойного объекта в терагерцевом диапазоне

Изобретение относится к методам определения оптических свойств тонкоплёночных объектов субволновой толщины. Способ определения диэлектрической проницаемости материала тонкослойного объекта в терагерцевом диапазоне включает нанесение объекта в виде однородного слоя известной субволновой толщины на плоскую подложку, генерирование на ней терагерцевым излучением пучка поверхностных плазмон-поляритонов (ППП), определение их показателя преломления и показателя поглощения до нанесения на подложку исследуемого слоя и при его наличии, расчёт диэлектрической проницаемости материала объекта по результатам измерений. При этом подложку выбирают проводящей и содержащей однородный покровный слой непоглощающего диэлектрика толщиной, при которой длина распространения ППП максимальна, излучение выбирают монохроматическим, оценку показателя преломления ППП выполняют с помощью собранного на подложке плазмон-поляритонного интерферометра Майкельсона. Исследуемый слой выбирают механически прочным и наносят его только на ту часть подложки, по которой перемещается подвижное зеркало интерферометра. Техническим результатом является повышение точности определения диэлектрической проницаемости материала слоя в ТГц диапазоне.