Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур для контроля профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине, а также для анализа структур, оказавшихся у потребителя. Задачей изобретения является создание способа измерения профиля распределения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых структурах, позволяющего получить технический результат, заключающийся в повышении точности определения концентрации носителей заряда. Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах, при котором на образце полупроводниковой гетероструктуры проводят измерения емкости, , измеряют зависимость емкости от напряжения в нестационарном режиме и зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от напряжения, далее осуществляют пересчёт нестационарной вольт-фарадной характеристики в локальный профиль распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры путем дифференцирования нестационарной вольт-фарадной характеристики по напряжению в области «окна профилирования», и получают искомый профиль распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры