Эффективная НЕМТ-технология изготовления монолитных многофункциональных интегральных схем СВЧ на полуизолирующих пластинах арсенида галлия

Изобретение относится к области создания многофункциональных интегральных схем (МИС) СВЧ на полуизолирующих пластинах арсенида галлия. Область применения: производство твердотельной электронной компонентной базы СВЧ мм-диапазона для приемо-передающих модулей АФАР. Сущность изобретения: на рабочей поверхности полуизолирующей монокристаллической пластины арсенида галлия посредством низкодозового и высокодозового легирования ионами кремния формируется n+ - n - i - структура полевого транзистора с барьером Шоттки. Затем по тонкоплёночной технологии с применением фотолитографии изготавливаются исток и сток транзистора, а между ними - Т-затвор транзистора с субмикронной (≤ 0,3 мкм) длиной основания. После этого посредством дополнительного высокодозового легирования кремнием расширяются контактные п+ - области истока и стока и сокращается рабочая длина канала. Для пассивации рабочей поверхности активной области используется имплантация ионов бора. Техническим результатом является: надёжная планарная изоляция секторов функциональных узлов монолитной МИС и НЕМТ за счёт высокого удельного сопротивления пластины арсенида галлия; гибкое управление в едином технологическом цикле процессами формирования «пассивных» транзисторов для коммутационных узлов (переключателя и фазовращателя) и «активных» транзисторов (для аттенюатора, усилителя мощности); высокое линейное разрешение (топологическая норма), обеспечивающее изготовление монолитных МИС на мм-диапазон длин волн; повышение процента выхода годных монолитных МИС (с десятками и более НЕМТ) за счёт обеспечения высокой однородности субмикронного канала по толщине и уровню легирования и субмикронного затвора НЕМТ, формируемого на плоской поверхности пластины; повышение надёжности НЕМТ за счёт соразмерности толщины канала и длины затвора, ограничения неконтролируемой диффузии и увеличения пробивного напряжения затвор-сток и др.; снижение трудоёмкости производственного цикла и материальных затрат на изготовление монолитных МИС.