Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ и силовых компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках кремния с проектными нормами до 0,25 мкм

Объект разработки: типовой технологический процесс (ТТП) и комплексный инструмент проектирования (КИП) для широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем (СВЧ МИС), работающих в частотном диапазоне до 18 ГГц, на основе нормально открытых полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия на подложках кремния с минимальными проектными нормами до 0,25 мкм. Целью ОКР является разработка стабильного ТТП и КИП для широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем (далее – СВЧ МИС), работающих в частотном диапазоне до 18 ГГц на основе нормально открытых полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия на подложках кремния (GaN/Si) с минимальными проектными нормами до 0,25 мкм и последующим обеспечением доступа сторонних организаций (далее – Потребителей) к изготовлению своих проектов в режиме контрактного производства. Ожидаемые результаты: Будут разработаны типовые технологические проекты, по которым будут изготовлены следующие демонстраторы: 1 Широкополосный усилитель мощности непрерывного режима работы. 2 Предварительный усилитель мощности S-диапазона частот непрерывного режима работы. 3 Предварительный усилитель мощности C-диапазона частот непрерывного режима работы. 4 Нормально-закрытый ключ с максимально допустимым напряжением сток-исток 650 В. Будет разработан комплексный инструмент проектирования для широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем, работающих в частотном диапазоне до 18 ГГц, на основе нормально открытых полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия на подложках кремния с минимальными проектными нормами до 0,25 мкм.