Топология кристалла чувствительного элемента термоэлектрического датчика теплового потока

29.12.2023

Область применения кристалла термоэлектрического датчика в системах «умный дом». Функцией интегральной микросхемы с регистрируемой топологией является преобразование тепла в электричество. Топология ИМС разработана по КМОП технологии с проектными нормами 2.5 мкм. Площадь единичного кристалла составляет 4214×300 мкм2. Кристалл состоит из кремниевой подложки, диэлектрической плёнки, алюминиевой металлизации, термоэлектриков в виде полупроводников теллурида висмута n- и p- типа.

ГРНТИ

47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники

Ключевые слова

термоэлектрики

полупроводники

кремниевая технология

Детали

НИОКТР

№ 121111100094-1

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Сферы применения

Область применения кристалла термоэлектрического датчика в системах «умный дом».

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Тонкопленочный термоэлектрический генератор

0.917

РИД

“Создание тонкопленочного термоэлектрического датчика теплового потока для применения в составе систем теплоснабжения и в технологическом промышленном оборудовании, а также в системах "умный дом"”

0.909

НИОКТР

Тонкоплёночный термоэлектрический генератор

0.895

Промышленная инновация