РИД
№ 625022600022-9

Способ подготовки поверхности кремния и стекла перед процессом анодного бондинга

26.02.2025

Способ подготовки поверхности кремния и стекла перед процессом анодного бондинга, включающий плазмохимическую обработку кремниевой пластины в плазме Ar:O2:CF4, жидкостную обработку кремниевой пластины и стеклянной подложки, состоящий в том, что сначала проводят плазмохимическую обработку поверхности кремния в плазме Ar:O2:CF4 в соотношении газовой смеси 2:4:3, после чего кремниевую пластину обрабатывают в травителе 1:50 BHF (буферный раствор) до скатывания, далее проводят отмывку кремниевой пластины в деионизованной воде от остатков буферного раствора и сушат кремниевую пластину с помощью азотного пистолета, параллельно проводят отмывку стеклянной подложки в растворе диметилформамида (ДМФА) при температуре 80 оС в течение 10 минут, отмывают стеклянную подложку от остатков ДМФА в деионизованной воде и сушат её азотным пистолетом. Техническим результатом является улучшение надежности соединения стекла и кремния, полученного с помощью процесса анодного бондинга.
ГРНТИ
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
Ключевые слова
анодный бондинг
плазмохимическая обработка поверхности кремниевой пластины
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к технологии изготовления устройств микрофлюидики на основе кремния.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Способ электрохимического осаждения кремний – углеродных пленок на электропроводящие материалы
0.902
РИД
Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление
0.901
РИД
Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление
0.901
РИД
Способ формирования пленки карбида кремния на подложке диоксида кремния
0.900
РИД
Способ электрохимического осаждения легированных атомами переходных металлов кремний – углеродных пленок на электропроводящие материалы
0.900
РИД
Способ электрохимического осаждения кремний – углеродных пленок на диэлектрические подложки
0.898
РИД
Способ подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксией
0.898
РИД
Способ изготовления полупроводниковых структур
0.898
Промышленная инновация
Способ увеличения адгезии фоторезиста в технологии нитрид галлия на кремнии
0.898
РИД
Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники
0.897
РИД