Дифференциальный каскад класса АВ с токовыми выходами, согласованными с разными шинами источников питания

зобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в схемах различных операционных усилителей (ОУ) и компараторов аналоговых сигналов с малым статическим токопотреблением, обеспечивающим минимальный саморазогрев кристалла, в т.ч. на SiC, GaN, GaAs широкозонных полупроводниках, работающих при повышенных температурах. Технический результат: создание более простого дифференциального каскада, который обеспечивает (при уменьшенном статическом токопотреблении) более высокие значения выходных токов (работает в режиме класса АВ), что форсирует переходные процессы в его различных схемах включения. В предлагаемой схеме исключаются два источника опорного тока, отрицательно влияющие на многие параметры классических ДК. Следует отметить, что для минимизации влияния нестабильности напряжений питания и подавления помех по шинам источников питания схемотехнические решения таких двухполюсников могут содержать значительное количество транзисторов, что усложняет общую схему ДК. Дифференциальный каскад класса АВ с токовыми выходами, согласованными с разными шинами источников питания, содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) токовый выход, согласованный с первой (4) шиной источника питания, второй (5) токовый выход, согласованный со второй (6) шиной источника питания, первый (7) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток подключен ко второму (5) токовому выходу, второй (8) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток подключен к первому (3) токовому выходу, третий (9) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, а сток связан со второй (6) шиной источника питания, четвертый (10) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, а сток связан с первой (4) шиной источника питания. Исток первого (7) входного полевого транзистора соединен с истоком четвертого (10) входного полевого транзистора, а исток второго (8) входного полевого транзистора соединен с истоком третьего (9) входного полевого транзистора.