Эпитаксиальная интеграция пленок EuO с кремнием и свойства полученных гетероструктур

Разработана методика создания и стабилизации поверхностной фазы 1×5 Eu на Si (001), и определена ее структура. Использование этой фазы в качестве базовой структуры позволяет осуществить качественное изменение процессов роста оксидов на кремнии. Предложена методика выращивания эпитаксиальных стехиометрических пленок EuO на Si (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая получать гетероструктуры EuO/Si с атомно-резким интерфейсом. Изучена картина изменения кристаллических параметров на интерфейсе EuO/Si. Определена зонная структура интерфейса EuO/Si. Отработана методика формирования эпитаксиальных легированных Gd пленок EuO на Si (001). В этих пленках впервые обнаружен аномальный эффект Холла, указывающий на наличие спин-поляризованных носителей заряда.