РИД
№ АААА-Г20-620111590014-6

Способ создания материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда

15.11.2020

В изобретении описан способ получения пленок антиферромагнитных материалов EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда. Синтез пленок осуществляется методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях сверхвысокого вакуума, что позволяет добиться высокого кристаллического совершенства пленок, играющего критическую роль в достижении высокой подвижности. Полученные пленки соответствуют кристаллической модификации hP3 и обладают структурой интеркалированных атомами европия (стронция) слоев германена. Синтезированные пленки могут быть использованы в качестве проводящего канала в новых устройствах наноэлектроники.
ГРНТИ
29.19.23 Теория электрических свойств твердых тел
29.19.43 Антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
СПИНТРОНИКА
ГЕРМАНЕН
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
АНТИФЕРРОМАГНЕТИЗМ
ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ
Детали

Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Микро- и наноэлектроника, спиновая электроника
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена
0.955
РИД
Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием
0.941
РИД
Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия на графене
0.938
РИД
Способ создания эпитаксиальных гетероструктур EuO/Si с атомно-резким интерфейсом
0.936
РИД
Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене
0.931
РИД
Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксальной гетероструктуры EuO/Si
0.930
РИД
Способ формирования эпитаксальных гетероструктур EuO/Ge
0.929
РИД
Способ создания магнитного монослойного металла
0.925
РИД
Эпитаксиальная интеграция пленок EuO с кремнием и свойства полученных гетероструктур
0.921
Диссертация
Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда
0.920
РИД