Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния

05.07.2018

Цель: исследование электрофизических свойств подзатворного диэлектрика и границы раздела ⁴H SiC/SiO₂, оптимизация свойств канала МДП-транзистора, изучение силовых вертикальных МДП-транзисторов на карбиде кремния. Разработаны рекомендации по технологии формирования подзатворного диэлектрика и канала транзистора. Изготовлены и охарактеризованы силовые вертикальные МДП-транзисторы на карбиде кремния.

ГРНТИ

47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы

29.19.31 Полупроводники

29.19.33 Диэлектрики

Ключевые слова

4H-SIC

МДП-ТРАНЗИСТОР

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ПОДЗАТВОРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК

ГРАНИЦА РАЗДЕЛА

КАНАЛ

Детали

Автор

Михайлов Алексей Игоревич

Вид

Кандидатская

Целевое степень

Кандидат технических наук

Дата защиты

21.06.2018

Организация защиты

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"

Организация автора

Похожие документы

Выбор направления исследований

0.926

ИКРБС

Разработка физических основ функционирования и технологических основ синтеза приборных структур на основе наноструктурированных слоев карбида кремния

0.908

ИКРБС

Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия

0.908

НИОКТР

Зависимость параметров мощных карбидкремниевых СВЧ-транзисторов с затвором Шоттки от конструктивно-технологических и внешних факторов