Прозрачные омические контакты для изделий гетероструктурной полупроводниковой оптоэлектроники

Объекты исследования: структуры ITO/полупроводник p-типа проводимости гетероструктур для приборов оптоэлектроники и радиофотоники, тонкие пленки ITO, полученные методом реактивного магнетронного распыления мишени In/Sn в кислородсодержащей среде со сниженным радиационно-термическим воздействием на подложку. Цель: разработка физико-химических основ технологии получения тонких низкоомных прозрачных пленок ITO методом магнетронного распыления при сниженном радиационно-термическом воздействии на подложку, исследование свойств пленок ITO и формирование прозрачных омических контактов к изделиям гетероструктурной оптоэлектроники. Разработаны: физико-химические основы синтеза электропроводящих оптически прозрачных пленок ITO методом реактивного магнетронного распыления с возможностью их нанесения на гетероэпитаксиальные полупроводниковые структуры; способ уменьшения радиационно-термического воздействия плазмы магнетронного разряда на подложку при нанесении тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления. Показана перспектива применения пленок ITO в качестве слоя растекания в приборах оптоэлектроники. Методом моделирования показано, что введение слоя растекания тока позволяет увеличить КПД прибора более чем на 50%.