Способ изготовления омических контактов

Предлагается использовать в качестве контактного слоя высокопроводящий слой HgTe, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированный индием в едином технологическом процессе до концентрации более 10^18 см^-3. В отличии от ранее применяемого способа выращивания слоя HgCdTe с последующим нанесением металлизации индием в отдельной камере, предлагаемый способ позволяет значительно упростить технологию изготовления омического контакта к широкозонному материалу HgCdTe, что открывает возможность применить ее в едином процессе при выращивании сложных лазерных структур с широкозонными волноводами дырочного и электронного типов проводимости с заключенной между ними множественными квантовыми ямами Hg1-xCdxTe/Hg1-yCdyTe в качестве активной области лазерных структур без выноса в окружающую атмосферу.