Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения. Апробация технологии обработки подложек карбида кремния

Исследованы принципы обработки подложек полуизолирующего карбида кремния, конструкция и технология изготовления транзисторных наногетероструктур, транзисторов и микросхем на основе нитрида галлия. Цель исследования - разработка новейших принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм для последующего изготовления транзисторных AlInGaN наногетероструктур и сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС), позволяющих увеличить число СВЧ-транзисторов и МИС, изготавливаемых в одном технологическом процессе, по сравнению с используемыми в настоящее время подложками карбида кремния. На четвертом этапе работы скорректированы режимы обработки подложек полуизолирующего карбида кремния по результатам испытаний подложек и экспериментальных исследований макетов транзисторных наногетероструктур; созданы экспериментальные образцы подложек для изготовления транзисторных наногетероструктур; разработаны технологии эпитаксиального выращивания транзисторных наногетероструктур на подложках карбида; изготовлены экспериментальные образцы транзисторных AlInGaN наногетероструктур на подложках карбида кремния; разработаны программа и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов транзисторных AlInGaN наногетероструктур; проведены испытания экспериментальных образцов транзисторных AlInGaN наногетероструктур; подготовлена эскизная конструкторская документация на изготовление СВЧ-транзисторов и МИС, комплекты фотошаблонов; подготовлена лабораторная технологическая документация на СВЧ-транзисторы и МИС; разработаны программа и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов СВЧ-транзисторов и МИС. Информация о проводимых работах расположена в сети Интернет по адресу: http://www.ntcm-ras.ru/14.607.21.0003.html.