Исследование конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения

Объект исследования - принципы обработки подложек полуизолирующего карбида кремния и конструкция и технология изготовления транзисторных наногетероструктур, транзисторов и микросхем на основе нитрида галлия. Цель исследования - разработка новейших принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм для последующего изготовления транзисторных AlInGaN наногетероструктур и сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС), позволяющих увеличить число СВЧ-транзисторов и МИС, изготавливаемых в одном технологическом процессе, по сравнению с используемыми в настоящее время подложками карбида кремния. В результате работ на пятом этапе ПНИ изготовлены экспериментальные образцы СВЧ-транзисторов и МИС. Проведены испытания экспериментальных образцов СВЧ-транзисторов и МИС. Доработаны технологии изготовления наногетероструктур по результатам испытаний СВЧ-транзисторов и МИС. Выполнены обобщение и оценка полученных результатов, сопоставление анализа научно-информационных источников и результатов теоретических и экспериментальных исследований; оценка эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем; оценка полноты решения задач и достижения поставленных целей ПНИ. Представлено технико-экономическое обоснование разработки продукции. Подготовлены рекомендации по внедрению разработанных технологий обработки подложек полуизолирующего карбида кремния и изделий на их основе в приборы СВЧ-электроники. Создан проект ТЗ для проведения последующих ОКР. Проведены дополнительные патентные исследования.