Изучение методов селективной эпитаксии InGaAlN гетероструктур (итоговый)

Цель: исследование технологии синтеза InGaAlN-гетероструктур и их свойств при использовании селективной эпитаксии как с использованием маскирующих покрытий, так и методов самоорганизации материала, что позволит реализовывать новые подходы к эпитаксии структур и достичь улучшения электрофизических и оптических свойств транзисторных и светоизлучающих наногетероструктур. Разработана технология сверхбыстрого выращивания GaN ННК/НМК, индуцированного нанослоем титана на различных подложках. Данная технология пригодна в том числе для формирования светодиодных структур. Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных оптической литографией или сфокусированным ионным пучком в слое Si₃N₄, сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными и вертикальными гранями. Исследованы оптические и электрические свойства светодиодных гетероструктур с верхним селективным мезаподобным электродом, формирующим неоднородное протекание тока. Показана возможность использования субмикронных масок для увеличения вывода света из светодиодов и локального управления параметрами излучения.