Технология эпитаксиального выращивания наногетероструктур InGaAs/InAlAs на подложках InP со вставками InAs в канале для приборов СВЧ электроники (диапазон свыше 100 ГГц)

Представлена технология получения наногетероструктур на основе полупроводников InGaAs и InAlAs на подложках InP методом молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенных для использования в качестве материалов для полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов, способных усиливать электрические сигналы с частотой свыше 100 ГГц (миллиметровый и субмиллиметровый диапазоны длин волн). Описана конструкция модулированно-легированных наногетероструктур InGaAs/InAlAs, содержащих в канале нанометровую вставку InAs, а также технологические режимы и операции, обеспечивающие высокое структурное совершенство слоев гетероструктуры и гетерограниц между различными слоями. Предложенная технология обеспечивает создание наногетероструктур InGaAs/InAlAs со следующими параметрами двумерного электронного газа в канале при комнатной температуре: подвижность – не меньше 10500 см2/В∙с, слоевая концентрация – не меньше 2.8∙1012 см-2.