Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте

Объект исследования - преобразователь магнитного поля, особенностью которого является чувствительный элемент на основе магниторезистивных наноразмерных структур. Цель исследования - разработка отечественного преобразователя магнитного поля на основе тонкой магниторезистивной пленки. Преобразователь магнитного поля должен обеспечивать регистрацию магнитного поля, как постоянного, так и переменного, частотой до 1 МГц. В ходе выполнения работ на первом этапе подготовлен аналитический обзор современной научно-технической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему магниторезистивных сенсоров. Исследованы: теоретические основы функционирования чувствительных элементов на магниторезистивном эффекте; способы повышения чувствительности анизотропных магниторезистивных структур к магнитному полю; способы и режимы получения анизотропных магниторезистивных пленок. Отработаны технологические операции формирования тонких анизотропных магниторезистивных пленок на кремниевой пластине. Результаты исследования позволят обеспечить создание отечественного преобразователя магнитного поля с последующим обеспечением импортозамещения зарубежных аналогов.