Изучение механизмов формирования границ раздела металл(диэлектрик)/n-In0.52Al0.48As для создания приборных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки

Тройное соединение InxAl(1-x)As является перспективными материалом для создания приборных транзисторов с высокой подвижностью электронов, СВЧ-фотодекторов и ряда других приборов. В частности, на основе гетероэпитаксиальных меза-структур In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InP изготавливаются СВЧ-фотодиоды с барьером Шоттки, используемые в качестве быстрых детекторов в аналоговых волоконно-оптических линиях в спектральном диапазоне 1.55 мкм. Параметры этих приборов определяются характеристиками границ раздела металл/InAlAs и диэлектрик/InAlAs(InGaAs). В рамках данного проекта проведены комплексные исследования, направленные на установление взаимосвязи между морфологией, химическим составом поверхности InAlAs, структурой границы раздела Ti/InAlAs и электрофизическими характеристиками Au/Ti/InAlAs/InP барьеров Шоттки. Другая часть работы посвящена изучению возможности пассивации поверхности InAlAs сверхтонкими анодными слоями, а также изучению электронных свойств границ раздела диэлектрик/InAlAs.Полученные в ходе выполнения проекта новые научные результаты позволяют установить надежные механизмы формирования границ раздела металл(диэлектрик)/InAlAs с предельными параметрами и могут быть применены для совершенствования технологии изготовления приборных СВЧ-фотодиодов (фотодетекторов) на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероэпитаксиальных структур с Au/Pt/Ti/InAlAs барьером Шоттки и защитными пассивирующими диэлектрическими слоями, а также других устройств, в которых присутствуют границы раздела металл(диэлектрик)/InAlAs.