Разработка и совершенствование конструктивно-технологического базиса отечественной электронной компонентной базы (промежуточный).

Основная цель работы — разработка и исследование функциональных и эксплуатационных характеристик интегральных биполярных и МОП-структур, а также компонентов для вакуумной микроэлектроники. В рамках выполнения задач проекта в отчетный период были проведены работы по трем направлениям: разработка интегральных конденсаторов с высокой емкостью и варикапов с управляемой характеристикой и высоким коэффициентом перекрытия по емкости; разработка конструктивно-технологических аспектов проектирования и создания элементов цифровых МДП схем, устойчивых K воздействию дестабилизирующих факторов; разработка высокоэффективных углеродных эмиссионных катодных узлов для вакуумной микроэлектроники. Предложена и численно реализована физико-топологическая модель интегрального конденсатора на основе барьера Шоттки. Построена SРIСЕ-модель интегрального конденсатора и на численном примере проведена идентификация параметров модели. Методом схемотехнического моделирования изучено влияние паразитных параметров на характеристики интегрального конденсатора. Предложен способ повышения функциональной стабильности МДП-структуры методом нитризации подзатворного оксинитрида. На экспериментальных структурах показано, что инжекция горячих электронов в канал влияет на динамическую деградацию р- канальных МДП ПТ, а инжекция электронов при высоком напряжении на затворе в процессе чередующихся статических воздействий вызывает рекомбинацию захваченных дырок. Разработаны конструкции сеточного катодного узла и лабораторная технология их изготовления. Методом ионно-плазменной технологии получены экспериментальные структуры кремниевых и проведены исследования их эксплуатационных характеристик. Разработан и создан работающий макет установки получения графитовых автоэмиссионных катодных покрытий в дуговой плазме с вращающимися электродами на графитовой подложке. Проведены исследования микроструктурных параметров и эмиссионных характеристик опытных образцов.