Функциональные материалы, наноматериалы и технологии по теме: Фундаментальные основы сольвотермального метода синтеза эпитаксиальных пленок диоксида ванадия с переходом диэлектрик-металл (заключительный)

Проект посвящен разработке и исследованию фундаментальных основ нового сольвотермального метода получения эпитаксиальных пленок диоксида ванадия. Проведен поиск прекурсоров для получения однофазных порошков диоксида ванадия в сольвотермальных условиях, изучалось влияние параметров синтеза на кинетику роста пленок, определялись условия получения эпитаксиальных пленок на монокристаллических подложках и способы рекристаллизации пленок для улучшения электрофизических и оптических характеристик. В результате выполнения проекта разработаны условия получения объемных 3D самоорганизованных структур из кристаллитов VO2, построена модель их эпитаксиального роста на поверхности сапфировых монокристаллических подложек, исследованы условия отжига пленок диоксида ванадия для получения рекордных характеристик перехода полупроводник-металл, показана способность полученных материалов к управлению амплитудой ТГц-излучения и продемонстрирована возможность модификации полученной методики для синтеза равномерных легированных пленок с температурой перехода ПП-М приближенной к комнатной.