Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники

Целью работы является исследование оптических свойств новых типов активной области на основе полупроводниковых наногетероструктур А3В5 для современных светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники и сенсорики. В ходе работы исследованы новые полупроводниковых наногетероструктуры: нановключения InAs/InP и InP, синтезированных с помощью селективного роста методом капельной газофазной эпитаксии из металл-органических соединений в матрице кремния, нитевидные нанокристаллы А3В5 (InAs/GaAs) на кремнии, наноструктуры гибридной размерности (квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs). Выполнено исследование динамических процессов в полупроводниковых наногетероструктурах методом время-разрешенной люминесценции. Выполнен анализ влияния квантовой размерности и локализации активной области на процессы захвата и рекомбинации носителей заряда, исследование безылучательной рекомбинации в наноструктурах. Выполнено исследование динамических процессов в полупроводниковых оптоэлектронных приборах на основе КЯТ методом малосигнальной высокочастотной модуляции. Полученные результаты демонстрируют возможность использования микролазеров для оптической передачи данных на плате. Результаты работы могут быть использованы для опытно-конструкторских работ в промышленных предприятиях. Ожидаемый социально-экономический эффект проекта состоит в развитии высокотехнологического сектора экономики за счет увеличения скорости обработки и передачи данных и перехода на новые типы вычислительных систем, что необходимо для развития цифровизации общества.