Формирование, кристаллическое строение и оптические свойства новых A3B5 гетероструктур, выращенных на Si подложке

Развитие современной микроэлектроники требует увеличения скорости обмена информацией как между ядрами одного процессора, так и между независимыми устройствами. Необходимую скорость можно достичь, осуществляя передачу данных по оптическому каналу. Однако проблема создания встроенных в кремниевые микросхемы эффективных приборов для преобразования сигнала из электронной формы в оптическую до сих пор не решена. На данный момент наиболее эффективные полупроводниковые светоизлучатели построены на базе A3B5 гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. В рамках проекта предполагается разработать физические основы эпитаксиальной технологии формирования наногетероструктур с квантовыми ямами и точками на основе соединений А3В5 на кремниевых подложках и исследовать их структурные, энергетические и люминесцентные свойства. По результатам проекта планируется: (1) существенно расширить понимание физических процессов формирования совершенных гетероструктур А3В5/Si и новых гетероструктур с квантовыми точками и ямами на гибридных подложках А3В5/Si (2) выявить взаимосвязи энергетического строения и оптических свойств таких гетероструктур с условиями их формирования и (3) заложить физические основы для разработки и создания эффективных источников излучения внедренных в кремниевые интегральные схемы.