ИКРБС
№ 224031500120-0"Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения" (договор №22ГРРЭС14/71681 от 20.12.2021) (заключительный)
13.03.2024
Целью НИОКР является разработка трех высоковольтных интегральных микросхем: двухканального драйвера силовых ключей без гальванической изоляции – ИМС1, интегрального низковольтного одноканального импульсного понижающего преобразователя без гальванической изоляции с обратной связью по напряжению – ИМС2, ШИМ-контроллера с управлением по току силового МОП-транзистора – ИМС3. Разрабатываемые микросхемы предназначены для использования в современных и перспективных источниках вторичного электропитания.
В соответствии с календарным планом и ТЗ на 4 этапе выполнены следующие работы:
- разработаны проекты ТУ на микросхемы;
- проведены предварительные испытания опытных образцов микросхем;
- составлены протоколы и акты предварительных испытаний;
- опробованы микросхемы в составе оборудования потребителей микросхем;
- составлена справка соответствия опытных образцов микросхем требованиям ТЗ;
- по результатам предварительных испытаний скорректирована КД и ТД с присвоением документации литеры «О».
Достигнутые в ходе выполнения 4 этапа НИОКР результаты полностью удовлетворяют поставленным задачам календарного плана и ТЗ.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
источники вторичного электропитания
драйвер силовых ключей
импульсный понижающий преобразователь
DC-DC преобразователь
ШИМ контроллер
МОП транзисторы
топология кристалла
BCD технологический процесс
микросхема
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИБИС"
Бюджет
Собственные средства организаций: 2 750 000 ₽; Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 10 290 000 ₽
Похожие документы
Изготовление макетных образцов микросхем. Исследование параметров макетных образцов микросхем. Разработка принципиальных схем микросхем. Моделирование работы микросхем. Разработка топологий кристаллов микросхем.
0.942
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: "Разработка заказной интегральной микросхемы распределенной системы питания" (договор №5ГРРЭС14/71674 от 19.12.2021) Этап №1"Разработка спецификации заказной интегральной микросхемы. Анализ полупроводниковой технологии.Проектирование и разработка структурных и принципиальных электрических схем. Схемотехническое проектирование аналоговых и аналого-цифровых СФ-блоков с использованием технологических библиотек.Схемотехническое проектирование и моделирование схемы верхнего уровня с использованием технологических библиотек и средств САПР." (промежуточный)
0.939
ИКРБС
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: «Разработка заказной интегральной микросхемы распределенной системы питания» (договор №5ГРРЭС14/71674 от 19.12.2021) (заключительный)
0.938
ИКРБС
Разработка методик измерений микросхем. Разработка программ и методик предварительных испытаний опытных образцов микросхем. Разработка ЭКД на измерительные средства и оснастку для проведения измерений и испытаний микросхем. Изготовление измерительных средств и оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочего места для измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочей КД и ТД на микросхемы. Изготовление опытных образцов микросхем. (промежуточный)
0.936
ИКРБС
«Разработка комплекта микросхем управления питанием для мощных нитрид-галлиевых СВЧ усилителей» (договор №9ГРРЭС14/71688 от 19.12.2021) (заключительный)
0.933
ИКРБС
Разработка структурных схем микросхем. Определение необходимого набора элементов "правил проектирования" производителя кристаллов и требований к ним, выбор технологий изготовления кристаллов микросхем. Разработка принципиальных схем макетных образцов микросхем. Моделирование работы макетных образцов микросхем. Разработка топологии кристаллов макетных образцов микросхем.
0.933
ИКРБС
Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения
0.932
НИОКТР
Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения
0.932
НИОКТР
ОТЧЕТ о выполнении НИОКР по теме: "Разработка, изготовление и испытания опытного образца высоковольтного коммутирующего устройства с программируемыми параметрами." (договор №3619ГС2/60681 от 20.07.2020) (заключительный)
0.925
ИКРБС
о выполнении НИОКР по теме:
"Разработка электронного модуля на основе силовых GaN транзисторов для современных
вторичных источников питания с повышенным КПД"
(договор №445ГР/64870 от 24.12.2020)
Этап №2"Изготовление гибридной интегральной схемы и силового GaN электронного
модуля. Создание рабочего места для тестирования силового GaN электронного модуля.
Измерение параметров силового GaN электронного модуля с гибридной интегральной
схемой. Разработка программы и методики испытаний силового GaN электронного
модуля. Верификация топологий GaN монолитной интегральной схемы."
(промежуточный)
0.925
ИКРБС