ИКРБС
№ 225112420094-4ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме: "Разработка конструкции и технологии эффективных узлов ввода-вывода для фотонных интегральных схем на технологической платформе InP"
23.09.2025
Цель работы – разработка конструкции и технологии эффективных узлов ввода-вывода для фотонных интегральных схем на технологической платформе InP. На втором этапе проведены измерения экспериментальных образцов. Рассчитаны и изготовлены тестовые образцы с линейками интегральных модуляторов Маха-Цендера с узлами разветвителя и сумматора на основе многомодовой интерференции. Отработаны основные технологические операции при процессирования рабочих образцов ФИС с линейкой интегральных модуляторов Маха-Цендера. Скорректированы режимы плазмохимического травления, операции разделения на кристаллы. Определена точность изготовления топологий не хуже 70 нм. Проведена коррекция технологической и конструкторской документации. Оптические потери в активном волноводе образцов фотонной интегральной схемы с линейкой интегральных модуляторов Маха-Цендера на основе pin-гетероструктур составили 8,3 дБ/см. Минимальные потери оптического излучения на ввод в кристалл составили (2,0 ± 1,0) дБ на длине волны 1,549 мкм. Проведена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов и представлено заключение о технологичности и масштабируемости проекта для применения в производстве. Разработан проект ТЗ на проведение ОКР. В результате выполнения работ цели и задачи, определенные техническим заданием, выполнены в полном объеме. Результаты НИР будут использованы в АО «НИИ Полюс им. М.Ф. Стельмаха» при разработке фотонных и радиофотонных компонент с торцевым вводом и выводом излучения.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
ПОТЕРИ
УЗЕЛ ВВОДА И ВЫВОДА ИЗЛУЧЕНИЯ
ЛИТОГРАФИЯ
ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ФОТОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
ФОСФИД ИНДИЯ
Детали
НИОКТР
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИФИ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 24 000 000 ₽
Похожие документы
Исследование и разработка способов изготовления интегральных оптических волноводов и элементов на их основе
0.929
ИКРБС
Отчет о научно-исследовательской работе «Разработка технологического маршрута изготовления элементов связи периодического типа моды лазерной структуры и моды канального волновода на КНИ» (заключительный)
0.928
ИКРБС
Исследование и разработка способов изготовления интегральных оптических волноводов и элементов на их основе
0.926
ИКРБС
Исследование и разработка базовых принципов построения элементов радиофотонного тракта с частотами до 1 ТГц и построения систем на их основе
0.926
ИКРБС
Этап №2" Разработка технологического маршрута изготовления СВЧ фотодиодов на основе материала InP с гетеропереходом с квантовыми ямами. Разработка технологии корпусирования и монтажа фотонных интегральных схем. Разработка методики измерения электрических параметров широкополосного трансимпедансного усилителя (ТИУ). Разработка технологического маршрута изготовления и конструкций интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках. Определение состава, выбор и обоснование полупроводниковых подложек, материалов и
комплектующих для изготовления трансимпедансных усилителей."(промежуточный)
0.925
ИКРБС
Исследование и разработка базовых принципов построения элементов радиофотонного тракта с частотами до 1 ТГц и построения систем на их основе
0.924
ИКРБС
Разработка технологии формирования интегральных оптических волноводов с низкими оптическими потерями и элементов на их основе
0.924
ИКРБС
Этап №1"Определение состава, выбор и обоснование гетероструктурных подложек из полупроводникового материала InP, материалов и комплектующих для изготовления СВЧ фотодиодов. Разработка технологических операций изготовления СВЧ фотодиодов на основе полупроводникового материала InP. Оценка технологий изготовления ИС ТИУ, выбор технологии. Разработка топологии сверхширокополосных ИС ТИУ с полосой пропускания с полосой до 20 ГГц на основе отечественного GaAs или КМОП техпроцесса. Разработка методики измерения электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Разработка технологических операций изготовления интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках." (промежуточный)
0.923
ИКРБС
Исследование и разработка базовых принципов построения элементов радиофотонного тракта с частотами до 1 ТГц и построения систем на их основе
0.922
ИКРБС
Исследование и разработка базовых принципов построения элементов радиофотонного тракта с частотами до 1 ТГц и построения систем на их основе
0.922
ИКРБС