Исследование квантовых свойств тонкопленочных твердотельных наноструктур

Квантово-размерные пленки кремния, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированные соответствующим образом, находят широкое применение в качестве элементной базы устройств микро- и наноэлектроники. В последние годы обнаружено, что подобные пленки, выращенные между слоями диэлектрического CaF2, демонстрируют уникальные свойства в отношении рекомбинационного излучения при пропускании тока, что выражается в так называемом голубом сдвиге спектра излучения из-за перестройки электронного спектра, за счет гибридизации электронных орбиталей и квантования поперечного движения. Это делает перспективным применение таких систем для создания светоизлучающих и светоприемных устройств нового типа, работающих в инфракрасной и видимой области спектра. Ранее перед коллективом была поставлена задача: выращивание, методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и экспериментальное исследование квантово-размерных структур на основе кремния, аналитическое и числовое описание физических процессов в такой пленке. Тема работы лежит в русле общего направления исследований проводимых в центре коллективного пользования «Материаловедение и нанотехнологии» НГТУ.