Исследование и разработка технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния

10.11.2017

Объект исследования: высоковольтные силовые MOSFET приборы на карбиде кремния.Цель работы: разработка технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния.Реализация проекта направлена на решение проблемы создания базовой технологии изготовления сложнофункциональных силовых приборов на карбиде кремния, работающих в экстремальных условиях эксплуатации при повышенных температурах и ионизирующем излучении. Данная технология открывает возможность разработок целого класса новых приборов и устройств, а также решения актуальной задачи импортозамещения для приборостроения специального применения, что позволит обеспечить конкурентоспособность авиационной, ракетно-космической отраслей промышленности, автомобильного приборостроения, создание современных средств связи и телекоммуникационной аппаратуры.

ГРНТИ

47.09.29 Полупроводниковые материалы

47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы

Ключевые слова

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

КАРБИД КРЕМНИЯ

ТЕХНОЛОГИЯ КАРБИД КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ КАРБИД КРЕМНИЕВЫЕ ДМОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Детали

Начало

03.10.2017

Окончание

31.12.2019

№ контракта

Соглашение № 14.581.21.0021

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Бюджет

Средства федерального бюджета: 250 000 000 ₽

ИКРБС

№ АААА-Б19-219011090047-0, № АААА-Б19-219112990085-7, № АААА-Б20-220093090019-9

РИД