Разработка и исследование фотопреобразователя с расширенным диапазоном спектральной чувствительности, выполненного на основе однопереходной А3В5 гетероструктуры с массивом квантовых точек.

Проект направлен на решение проблемы ограничения кпд фотопреобразователей (ФП) на основе А3В5 гетероструктур, вызванной фундаментальными потерями. Предлагается подход, заключающийся во внедрении квантовых точек (КТ) в активную область GaAs ФП, что позволит расширить его спектральную чувствительность. Будут построены модели токопрохождения в ФП с КТ, найдены условия эксплуатации и зонная структура, позволяющие предотвратить термический выброс носителей из КТ и снижение напряжения ФП. Будут решены следующие задачи: расчет вклада КТ в спектральную чувствительность и кпд ФП; разработка эпитаксиальной технологии роста In(Ga)As КТ; разработка и создание ФП с массивами КТ; исследование характеристик ФП и моделирование процессов, происходящих в ФП с КТ.