Разработка технологии контролируемого синтеза тонких пленок карбида кремния с использованием метода молекулярно-слоевого осаждения

Увеличение производства в электронике полупроводниковых приборов устойчивых к высоким температурам, оптоэлектронике, СВЧ устройств на основе карбида кремния стимулирует поиск более экономичных и экологически чистых технологий формирования пленок SiC. Данный проект направлен на тонкоплёночное синтезирование SiC с использованием технологии молекулярно-слоевого осаждения. Технология молекулярно-слоевого осаждения позволяет на нанометровом уровне контролировать толщину наносимых покрытий (от 1 нм), наносить покрытия на поверхности любой степени сложности и не требует использования химически-агрессивных кремнийсодержащих прекурсоров. Экспериментальная часть представляет собой двухэтапный процесс: первый этап — это синтез органического полимера на поверхности подложки Si <100>; второй этап – высокотемпературный отжиг в инертной среде полученного полимера на поверхности Si <100>. Данная технология в итоге позволит найти зависимость толщины пленок SiC от количества циклов дозируемых прекурсоров, задаваемых в самом начале процесса, что значительным образом упростит контроль толщины пленок SiC на нанометровом уровне, полностью, избавит от необходимости использования высокотоксичных кремнийсодержащих летучих соединений и практически полностью автоматизирует процесс, что на сегодняшний день является сложной задачей.