Способ получения тонких пленок карбида кремния на кремнии пиролизом полимерных пленок, полученных методом молекулярно-слоевого осаждения

Изобретение относится к технологии получения пленок карбида кремния на кремниевой подложке. Изобретение заключается в двухэтапном процессе, где на первом этапе осуществляется процесс молекулярно-слоевого осаждения полимера из газовой фазы на кремниевой подложке. На втором этапе следует пиролиз полимера при температурах до 1300 оС в вакууме (или инертной атмосфере), в результате которого образуется слой SiC. Высокие температуры обеспечивают карбонизацию полимера с образованием равномерно распределенного слоя углеродного остатка, который при более высоких температурах взаимодействует с кремниевой подложкой с образованием SiC. Молекулярно-слоевое осаждение дает прецизионный контроль толщины (до 0.1нм) и конформности полимерной пленки, благодаря чему становится возможным контроль толщины пленки карбида кремния как продукта высокотемпературного пиролиза полимера на кремнии.