Создание кремниевых сверхрешёток методом газоструйного плазмохимического осаждения с последующим электронно-пучковым отжигом

Создание кремниевых сверхрешёток представляет большой интерес, как с фундаментальной, так и с практической точки зрения. Получение периодических слоев тонких пленок с заданными квантово-размерными свойствами и эффективной люминесценцией к настоящему моменту является наиболее актуальной в прикладном плане задачей в кремниевой оптоэлектронике, решение которой позволит осуществить качественный скачок в развитии современной электронной техники. В данном проекте предполагается использование двух-стадийного подхода к созданию кремниевых сверхрешёток. Аморфную матрицу субокисда кремния, с различной толщиной и концентрацией кислорода, можно синтезировать методом газофазного плазмохимического осаждения, и далее, поочередно каждый слой тонкой пленки субоксида кремния будет подвергаться электронно-пучковому отжигу с формированием нанокристаллов кремния заданного размера в матрице субоксида кремния. Использование электронного пучка для процесса отжига пленок субоксида кремния видится перспективным направлением в создании кремниевых сверхрешёток для практического применения, поскольку данный метод обладает рядом преимуществ: малая длительность воздействия, легкость в управлении параметрами процесса отжига, непосредственное воздействие на электронную структуру обрабатываемого материала.