Разработка и исследование технологических режимов газофазной гетероэпитаксии тонких слоев кремния на сапфире с улучшенными характеристиками

Цель исследования - разработка новых технологических режимов и способов изготовления эпитаксиальных структур «кремний на сапфире» (КНС) путем изучения процесса газофазной гетероэпитаксии. Разработаны новые режимы и способы формирования гетероструктур КНС, которые позволяют значительно улучшить структурное качество получаемых эпитаксиальных слоев кремния. Предложен оригинальный режим двухэтапной имплантации высокоэнергетичных ионов кремния, включение которого в процесс твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации позволило существенно уменьшить плотность дефектов в ультратонких слоях КНС толщиной до 100 нм. Проведено приборное тестирование n-канальных МОП-транзисторов на ультратонком КНС с различным пороговым напряжением. Установлено, что применение разработанных технологических режимов гетероэпитаксии позволило более чем в два раза увеличить подвижность электронов в каналах МОП-транзисторов.